 |
Доповіді НАН України. – 2008. – N 10. – С. 91–95.
Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу
В.А. Макара, Л.П. Стебленко, А.О. Подолян, А.М. Курилюк, Ю.Л. Кобзар, С.М. Науменко
Abstract
It is shown that the action of magnetic fields (MF) of different nature
(constant and variable MF and a microwave superhigh-frequency field) changes
the relaxation kinetics of photoconductivity (PC) in silicon crystals. For
an explanation of the obtained results, the mechanism, according to which
differences in the relaxation times of PC are related to structural changes
in the surface layer of Si that are stimulated by the magnetic influence, is offered.
Повний текст статі в pdf-форматі
| Назад до номера | Вибір номера | Головна сторінка журналу | Головна сторінка Порталу |