Доповіді НАН України. – 2008. – N 7.

Доповіді НАН України. – 2008. – N 7. – С. 82–85.

Моделювання радіаційних та релаксаційних процесів в імплантованих іонами кисню плівках залізоітрієвого гранату

Б.К. Остафійчук, В.М. Ткачук, О.М. Ткачук, В.М. Пилипів, О.О. Григорук

Abstract
The mechanisms of the formation of defects in superficial layers of epitaxial yttrium iron garnet films during the implantation by oxygen ions (E = 90 keV) are investigated by mathematical modeling methods. Secondary implantation processes and the evolution of the cascade collisions of target atoms up to a thermodynamical equilibrium state are studied.

Повний текст статі в pdf-форматі

| Назад до номера | Вибір номера | Головна сторінка журналу | Головна сторінка Порталу |