 |
Доповіді НАН України. – 2008. – N 3. – С. 71–76.
Особливості струмових нестабільностей фосфідо-галієвих світлодіодів, опромінених нейтронами
О.В. Конорева, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко, В.Я. Опилат, Ю.Г. Гришин, І.В. Петренко, М.Б. Пінковська, В.П. Тартачник
Abstract
GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and
electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which
appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K)
after irradiation has become more expressive and possesses the higher
oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on
the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields
of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels.
Повний текст статі в pdf-форматі
| Назад до номера | Вибір номера | Головна сторінка журналу | Головна сторінка Порталу |