Доповіді НАН України. – 2007. – N 7.

Доповіді НАН України. – 2007. – N 7. – С. 72–78.

Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs

Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко

Abstract
We have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E₀-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.

Повний текст статі в pdf-форматі

| Назад до номера | Вибір номера | Головна сторінка журналу | Головна сторінка Порталу |