Мачулін Володимир Федорович
 |
Народився в 1950 р. на Харківщині, в 1973 р. закінчив Київський політехнічний інститут.
Його наукова діяльність розпочалася в Інституті фізики напівпровідників АН УРСР, де він у 1978 р. захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук. У 1995 р. в Інституті металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України Володимир Федорович захистив докторську дисертацію. У 2000 р. він обраний членом-кореспондентом НАН України, у 2003 р. — директором Інституту фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. Водночас він є керівником відділення "Структурного i елементного аналiзу напiвпровiдникових матерiалiв i систем" цього Інституту.
 |
Основні наукові праці В.Ф. Мачуліна присвячені вивченню рентгенодифракційних явищ в напівпровідникових матеріалах та наноструктурах, а також розробці та практичному застосуванню методів високороздільних досліджень для діагностики реальної структури слабо спотворених кристалів та квантоворозмірних систем.
Важливе значення мають його роботи з вивчення фізики динамічного розсіяння Х-променів реальним кристалом в найбільш складному випадку комплексної дефектної структури, що складається одночасно з локалізованих і розподілених деформацій та композиційного складу. Надзвичайно інформативним в цьому відношенні стало також встановлення закономірностей динамічної дифракції Х-променів на кристалах, які одночасно містять статичні та змодельовані акустичні спотворення структури.
Цінність цих досліджень зараз набуває особливого значення, враховуючи стратегічний інтерес нашої держави в розвитку нанофізики, наноматеріалознавства, нанотехнологій і наноелектроніки та отримання субмікронних структур з заданими фізичними та фізико- хімічними параметрами і характеристиками.
Серед найбільш вагомих наукових результатів, отриманих під керівництвом і при безпосередній участі В.Ф. Мачуліна, слід відзначити наступні:
- вперше запропоновано і розроблено основи структурної діагностики реальних кристалів, які базуються на особливостях оптики Х-променів в кристалічних середовищах при динамічному розсіянні, що дозволило проводити аналіз структурно-неоднорідних напівпровідникових монокристалів. При цьому отримано можливість виділення внеску спотворень структури різної природи на дифракційні параметри розсіяння Х-променів;
- запропоновано нові рентгенооптичні методи, які суттєво підвищують можливості діагностики слабких спотворень в кристалах. В піонерських роботах В.Ф. Мачуліна з використанням синхротронного випромінювання як джерела Х-променів для дифракції на кристалічній гратці вперше отримана унікальна можливість спостереження поверхневої топології дефектів в епітаксійних системах і її розвиток в об’ємі та характер супроводжуючих ці дефекти деформаційних полів;
- закладено основи нового комплексного рентгеноакустичного методу структурної діагностики слабко спотворених кристалів з комбінованими деформаційними полями, який маючи високу чутливість, точність та інформативність, дозволяє встановити не лише природу домінуючого типу дефектів кристалічної гратки (мікродефекти чи макроспотворення), але й виявити та виміряти як рівень слабких макродеформацій кристалу, так і інтегральні характеристики структурної досконалості;
- зроблено вагомий внесок у розвиток фізичних та фізико-технічних основ формування напівпровідникових приладових наноструктур, вперше досліджено особливості релаксації механічних напруг в епітаксій них системах, визначено домінуючі механізми дефектоутворення в приладових структурах “метал–діелектрик–напівпровідник”, бар’єрних наноструктурах на основі напівпровідникових матеріалів типу AIIIBV та інших, залежність їх від технологічних параметрів ростових процесів і їх наступних обробок.
Підготував двох докторів і двох кандидатів наук.
Двічі лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки: "Ренгено-оптико-акустичні явища в реальних кристалах при комбінованому впливі різних фізичних полів" (1994), "Монокристали сапфіру: розробка високорентабельних технологій, освоєння промислового виробництва конкурентноздатних на світовому ринку сапфірових елементів для оптики, електроніки та медицини" (2003).
Наукову роботу Володимир Федорович поєднує з активною науково-організаційною діяльністю. З 1981 р. по 2003 р. працював у президії НАН України, пройшов шлях до начальника Науково-організаційного відділу Президії НАН України, а з 2003 р. очолює Вищу атестаційну комісію України.
Він є заступником головного редактора наукового журналу "Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка", членом редколегій наукових часописів "Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології", "Технология и конструирование в электронной аппаратуре", "Фізика і хімія твердого тіла" та "Электроника и связь".
- Джерела інформації:
- Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
- Український видавничий консорціум
- Фізика і хімія твердого тіла. — 2010. — Т. 11, N 1. — С. 7-9.
[Last accessed 24.04.2010]
Бібліографія публікацій В. Ф. Мачуліна
(за даними Українського реферативного журналу "Джерело")
Тексти вибраних публікацій В. Ф. Мачуліна
- Акустойонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісник НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8.
- Вплив радіуса кривизни багатошарових структур на спектри дифракції Х-променів / В. П. Кладько, М. В. Слободян, В. Ф. Мачулін // Український фізичний журнал. — 2008. — T. 53., № 2. — C. 167-171.
- Фундаментальна наука і суспільний поступ / В. Мачулін, П. Баранський // Вісник НАН України. — 2007. — N 2.
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського, Київ
www.nbuv.gov.ua