Лашкарьов Вадим Євгенович
(7.10.1903, Київ — 1.12.1974, там же)

	Фото 40-х років XX ст.

Першовідкривач фізичних ефектів, які були покладені в основу напівпровідникових технологій і мiкроелектронiки, академік Академії наук УРСР (1945).

Народився i отримав вищу освiту в Києвi, працював у Ленiнградi та Архангельську. Найплiднiшi 35 рокiв його життя пов'язанi з Києвом. Тут він розпочав свої дослідження в Інституті фізики АН УРСР, а згодом заснував і очолив (з 1960 по 1970 рiк) Iнститут фізики напiвпровiдникiв АН УРСР і кафедру фізики напівпровідників Київського державного університету ім. Т. Г. Шевченка.

У 1941 роцi Вадим Євгенович перший у свiтi експериментально вiдкрив p-n перехiд та розкрив механiзм електронно-диркової дифузiї, на основi яких пiд його керiвництвом на початку 50-х рокiв в Українi були створенi напiвпровiдниковi трiоди. Пріоритет його відкриття підтверджується публікацією "Дослiдження замикаючих шарiв методом термозонда" (Известия АН СССР. Сер. физ. — 1941. — Т. 5) i у спiвавторствi з К. М. Косоноговою — статтею "Вплив домiшок на вентильний фотоефект у закису мiдi" (там же).

Перший діод на p-n переході

Вiн встановив, що обидвi сторони "запiрного шару", розташованого паралельно границi подiлу мiдь — закис мiдi, мали протилежнi знаки носiїв струму. Це явище одержало назву p-n переходу (p — вiд positive, n — вiд negative). Розкрив також механiзм iнжекцiї — найважливiшого явища, на основi якого дiють напiвпровiдниковi дiоди i транзистори.

Починаючи з цього часу i до кiнця життя вчений послiдовно i плiдно дослiджував фiзичнi властивостi напівпровідників. На додаток до двох перших робiт у 1950 р. вiн i В. I. Ляшенко опублікували статтю "Електроннi стани на поверхнi напiвпровiдника" (Юбил. сборн. к 70-летию акад. А. Ф. Иоффе), в якiй описали результати дослiджень поверхневих явищ у напiвпровiдниках, що згодом стали основою роботи iнтегральних схем на польових транзисторах.

Перше повiдомлення в американськiй пресi про появу напiвпровiдникового пiдсилювача-транзистора з'явилося в липнi 1948 року. Його винахiдники — американськi вченi Бардин i Браттейн — пiшли шляхом створення так званого точкового транзистора на основi кристала германiю n-типу. Перший обнадiйливий результат вони одержали наприкiнцi 1947 р. Проте прилад працював нестабiльно, його характеристики були непередбачуваними, i тому практичного застосування точковий транзистор не отримав. 1951 року в США з'явився надiйнiший площинний транзистор n-p-n типу. Його створив Шоклi. Транзистор складався з трьох шарiв германiю n, p i n типу загальною товщиною 1 см i був зовсiм не схожий на майбутнi мiнiатюрнi, а згодом — i невидимi компоненти iнтегральних схем.

Уже через кiлька рокiв значення винаходу американських учених стало очевидним, i вони були удостоєнi Нобелiвської премiї. Можливо, початок "холодної вiйни" або iснуюча тодi "залiзна завiса" перешкодили В. Є. Лашкарьову стати нобелiвським лауреатом.

У 2002 році iм'я В. Є. Лашкарьова присвоєно заснованому ним Iнституту фізики напiвпровiдникiв НАН України.

Джерело інформації: International Charity Foundation
for History and Development of Computer Science and Technique
[Last accessed 24.01.2008]

---

Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського, Київ
www.nbuv.gov.ua