Бєляєв Олександр Євгенович
 |
Народився в 1947 року в м. Києві. У 1972 році закінчив фізичний факультет Київського державного університету ім. Тараса Шевченка за спеціальністю рентгенометалофізика. Від 1973 року і до сьогодні він працює в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Олександр Євгенович провів систематичні дослідження процесів електропереносу і рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в вузькощілинних немагнітних і напівмагнітних твердих розчинах за наявності флуктуації основних параметрів напівпровідників. Спостережено індукований магнітним полем перехід метал-неметал андерсонівського типу в вузькощілинних твердих розчинах АІІВVI та перехід у стан з мінімальною металічною провідністю в безщілинному СdxНg1-xТе. Для напівмагнітних напівпровідників р-типу встановлено, що термодинамічні флуктуації локальної намагніченості призводять до стрибкового переносу заряду за участю збуджених по спіну рівнів акцептора, а нерівноважний розподіл носіїв у флуктуаційно уширеній домішковій зоні, що виникає при ударній іонізації домішок у вказаних матеріалах, призводить до струмової бістабільності S-типу.
Цикл робіт О.Є. Бєляєва був присвячений вивченню природи і властивостей домішкових центрів, що формують метастабільні і резонансні стани у напівпровідниках, в результаті чого підтвердилась модель сильної граткової релаксації для DХ-центрів в твердих розчинах АlхGа1-xАs. Виявлено також у залишковій фотопровідності прояв водневоподібних станів, пов’язаних із вторинними мінімумами зони провідності. Найбільш важливий результат цього циклу – визначення абсолютного положення екстремумів зон Г6 та Г8 у залежності від складу.
Методи ємнісної і магніто-тунельної спектроскопії, розвинуті вченим, суттєво розширили експериментальні можливості в дослідженні низьковимірних систем (квантових ям, квантових дротів, квантових точок). Нині Олександр Євгенович досліджує вплив спонтанної і п’єзо-поляризації в гетероструктурах на основі нітридів металів підгрупи Al на формування двомірного електронного газу на межі поділу AlxGa1-xN/GaN і на процеси струмопереносу в таких структурах.
О.Є. Бєляєв опублікував понад 250 наукових праць, в тому числі дві монографії. З 2003 р. він заступник директора ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, очолює відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників. В 2004 р. обраний заступником академіка-секретаря Відділення фізики і астрономії НАН України. Характерною ознакою фундаментальних досліджень ученого є їх практична направленість, про що свідчить активна співпраця з НДІ «Оріон» (м. Київ). Олександр Євгенович очолює напрям «Напівпровідникова НВЧ електроніка міліметрового діапазону довжин хвиль», що є складовою частиною Державної науково-технічної програми «Розвиток мікро- та оптоелектронних технологій в Україні на 2005—2007 роки».
О.Є. Бєляєв бере активну участь у науково-педагогічній роботі. Він підготував 7 кандидатів наук, є науковим керівником трьох аспірантів і двох докторантів.
Учений є заступником голови спеціалізованої вченої ради із захисту кандидатських дисертацій в ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України та членом спеціалізованої вченої ради при Волинському державному університеті ім. Лесі Українки. Він член Українського фізичного товариства, Американського фізичного товариства, Міжнародного товариства оптичних інженерів, а також входить до складу редакційної колегії журналу «Semiconductor Physics, Quantum and Optoelectronics». О.Є. Бєляєв — лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки.
Джерело інформації: Вісник НАН України. — 2007. — N 6
Бібліографія публікацій О. Є. Бєляєва
(за даними Українського реферативного журналу "Джерело")
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського, Київ
www.nbuv.gov.ua